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V10P10HE3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses ?

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V10P10HE3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導體

V10P10HE3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V10P10HE387A

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HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses ?

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V10P10HE3SLASH86A

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HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses ?

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V10P10HE3/86A

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V10P10HE3/87A

Package：TO-277，3-PowerDFN；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    V10P10HE3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 10 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多V10P10HE3供應商 更新時間2025-3-17 14:25:00

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