UTV020分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
UTV020 |
| 參數(shù)屬性 | UTV020 封裝/外殼為55FT；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT |
| 功能描述 | 2 Watts, 25 Volts, Class A |
| 封裝外殼 | 55FT |
| 文件大小 |
86.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-9 16:00:00 |
UTV020規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The UTV 020 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 2 Watt Peak, Class A, RF Output Power over the band 470 - 860 MHz. Gold Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
UTV020
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
- 頻率 - 躍遷：
470MHz ~ 860MHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
17W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 250mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
1.2A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座，接線柱安裝
- 封裝/外殼：
55FT
- 供應(yīng)商器件封裝：
55FT
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GHZ |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
12 |
詢價(jià) | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55FT |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
原廠 |
2020+ |
原廠原廠原封裝 |
4500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
優(yōu)聯(lián)特 |
DIP |
32567 |
原裝 原裝 原裝 只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
優(yōu)利德 |
21+ |
NA |
4600 |
中國航天工業(yè)部戰(zhàn)略合作伙伴行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 |
詢價(jià) | ||
優(yōu)聯(lián)特 |
2016+ |
DIP |
9888 |
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詢價(jià) | ||
ASI |
23+ |
11200 |
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詢價(jià) | |||
GHZ |
23+ |
50000 |
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詢價(jià) | |||
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22+ |
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詢價(jià) |
