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UPG2250T5N-E2RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

UPG2250T5N-E2
廠商型號

UPG2250T5N-E2

參數(shù)屬性

UPG2250T5N-E2 封裝/外殼為6-XFDFN 裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC AMP BLUETOOTH 6-TSON

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

絲印標(biāo)識

G5C

封裝外殼

TSON / 6-XFDFN 裸露焊盤

文件大小

261.45 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-16 23:00:00

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UPG2250T5N-E2規(guī)格書詳情

FEATURES

? Operating frequency : fopt = 2 400 to 2 500 MHz (2 450 MHz TYP.)

? Supply voltage : VDD1, 2, 3 = 1.5 to 3.5 V (1.8 V TYP.)

? Control voltage : Vcont = 1.5 to 2.1 V (1.8 V TYP.)

? Circuit current : IDD = 100 mA TYP. @ VDD1, 2, 3 = 1.8 V, Vcont = 1.8 V, Pout = +19 dBm

: IDD = 170 mA TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.0 V, Vcont = 1.8 V, Pout = +24 dBm

? Output power : Pout = +20.0 dBm TYP. @ VDD1, 2, 3 = 1.8 V, Vcont = 1.8 V, Pin = ?5 dBm

: Pout = +25.0 dBm TYP. @ VDD1, 2, 3 = 3.0 V, Vcont = 1.8 V, Pin = ?5 dBm

? Gain control range : GCR = 60 dB TYP. @ VDD1, 2, 3 = 1.8 V, Vcont = 0 to 1.8 V, Pin = ?5 dBm

? High efficiency : PAE = 55 TYP. @ VDD1, 2, 3 = 1.8 V, Vcont = 1.8 V, Pin = ?5 dBm

? High-density surface mounting : 6-pin plastic TSON package (1.5 × 1.5 × 0.37 mm)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UPG2250T5N-E2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    2.4GHz ~ 2.5GHz

  • 射頻類型:

    藍(lán)牙

  • 電壓 - 供電:

    1.8V ~ 3.5V

  • 電流 - 供電:

    130mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-TSON

  • 描述:

    IC AMP BLUETOOTH 6-TSON

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