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UPG2193T6E-E2-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPG2193T6E-E2-A
廠商型號

UPG2193T6E-E2-A

功能描述

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

絲印標(biāo)識

G2193

封裝外殼

TQFN

文件大小

540.24 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 22:30:00

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UPG2193T6E-E2-A規(guī)格書詳情

FEATURES

? Supply Voltage : VDD = 2.5 to 3.0 V(2.775V TYP.)

? Serial Peripheral Interface SPI Supply Voltage

: AUX SPI_VDD (H) = 1.5 to 3.0 V(1.8 V TYP.)

: AUX SPI_VDD (L) = ?0.3 to 0.3 V(0 V TYP.)

? Low Insertion Loss : Lins = 0.4 dB TYP. @ GSM_LB_TX

: Lins = 0.6 dB TYP. @ GSM_HB_TX

? Harmonics : 2f0 = ?80 dBc TYP. @ GSM_LB/HB_TX, 50 Ω

: 3f0 = ?80 dBc TYP. @ GSM_LB/HB_TX, 50 Ω

: 2f0 = ?70 dBc TYP. @ GSM_LB_TX, 34.5 dBm, VSWR = 4:1

: 3f0 = ?70 dBc TYP. @ GSM_LB_TX, 34.5 dBm, VSWR = 4:1

? High-density surface mounting : 20-pin TQFN package (3.5 × 3.5 × 0.6 mm)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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