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UPD753104GC-XXX-8BS-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=1.8to5.5V ?Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?Internalmemory ?Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD753104) 6144×8bits(μPD753106) 8192×8bits(μPD753108) ?Datamemory(RAM): 512×4bits ?Capableofhigh-speedoperationandvari

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD753104GC-XXX-8BS

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=1.8to5.5V ?Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?Internalmemory ?Programmemory(ROM): 4096×8bits(μPD753104) 6144×8bits(μPD753106) 8192×8bits(μPD753108) ?Datamemory(RAM): 512×4bits ?Capableofhigh-speedoperationandvari

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更多UPD753104GC-XXX-8BS-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-28 9:01:00

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