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UPD5740T6N-E2

SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) ?Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V ?Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) ?Lownoise(LNA-mode):NF1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD5740T6N-E2-A

SiGe BiCMOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VCC=2.3to3.3V(2.8VTYP.) ?Lowmodecontrolvoltage:Vcont(H)=1.0VtoVCC,Vcont(L)=0to0.5V ?Lowcurrentconsumption:ICC1=5.0mATYP.@VCC=2.8V(LNA-mode) :ICC2=1μAMAX.@VCC=2.8V(Bypass-mode) ?Lownoise(LNA-mode):NF1

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    UPD5740T6N-E2

  • 功能描述:

    IC AMPLIFIER GPS 6-TSON

  • RoHS:

  • 類別:

    RF/IF 和 RFID >> RF 放大器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 頻率:

    100MHz ~ 6GHz

  • P1dB:

    9.14dBm(8.2mW)

  • 增益:

    15.7dB

  • 噪音數(shù)據(jù):

    1.3dB RF

  • 型:

    CDMA,TDMA,PCS

  • 電源電壓:

    2.7 V ~ 5 V 電流 -

  • 電源:

    60mA

  • 測試頻率:

    2GHz

  • 封裝/外殼:

    0505(1412 公制)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UPD5740T6N-E2供應(yīng)商 更新時間2024-5-28 21:36:00