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UPD4164-2

65,536 x 1 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

DESCRIPTION TheNEC/lPD4164isa65,536wordsby1bitDynamicN-ChannelMOSRAMdesigned tooperatefromasingle+5Vpowersupply.Thenegative-voltagesubstratebiasis internallygenerated-itsoperationisbothautomaticandtransparent. The/lPD4164utilizesadouble-poly-layerN-chann

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多UPD4164-2供應商 更新時間2025-4-26 16:00:00

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