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UPD166005GR-E1-AZ中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPD166005GR-E1-AZ
廠商型號

UPD166005GR-E1-AZ

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

414.61 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 15:22:00

UPD166005GR-E1-AZ規(guī)格書詳情

FEATURES

? High temperature operation (Tch = 175°C MAX.)

? Built-in charge pump circuit

? Low on-state resistance

RDS(on) = 100 mΩ MAX. (VIN = VIH, IO = 1.5 A, Tch = 25°C)

? Built-in protection circuit

- Current limitation

- Over temperature protection

? Built-in open load detection circuit

? Built-in diagnosis output circuit

? Package: Power SOP 8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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