首頁>UPA828TD>詳情

UPA828TD_NEC/瑞薩_射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist一線半導(dǎo)體2部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    UPA828TD

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    6350

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-563

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 16:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：UPA828TD品牌：NEC

新進(jìn)庫存/原裝

  • 芯片型號(hào)：

    UPA828TD

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    303.93 kb

  • 資料說明：

    NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    UPA828TD

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    云S/廖S

  • 手機(jī)：

    19168775913

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88608801

  • 傳真：

    0755-88608801

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A

相近型號(hào)