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UPA814T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

UPA814T
廠商型號

UPA814T

參數(shù)屬性

UPA814T 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

功能描述

SILICON TRANSISTOR

文件大小

327.71 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-25 22:30:00

UPA814T規(guī)格書詳情

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ′ 2SC5193) SMALL MINI MOLD

FEATURES

? Low Voltage Operation, Low Phase Distortion

? Low Noise

NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

? Large Absolute Maximum Collector Current

IC = 100 mA

? A Small Mini Mold Package Adopted

? Built-in 2 Transistors (2 ′ 2SC5193)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UPA814T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
2020+
DIP
8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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