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UPA811T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPA811T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA811T

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA811T

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA811T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

UPA811T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

TheμPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?HighGain |S21e|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA ?ASmallMiniMold

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA811T_09

NPN SILICON HIGH

CEL

California Eastern Labs

UPA811T_V1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA811T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA811T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA811T-A

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    UPA811T

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
24+
SOT-363/SOT-323-6
13200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢(xún)價(jià)
NEC
21+
SOT-363
6000
絕對(duì)原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
NEC
2023+
SOT-163
80000
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
NEC
2022
SOT-363 / SOT-323-6
13200
全新原裝現(xiàn)貨熱賣(mài)
 詢(xún)價(jià)
SOT-363SO
23+
NA
15659
振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢(xún)價(jià)
RENESAS
23+
SOT-363
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
NEC
21+
SOT-363
3900
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢(xún)價(jià)
RENESAS/瑞薩
標(biāo)準(zhǔn)封裝
58384
一級(jí)代理原裝正品現(xiàn)貨期貨均可訂購(gòu)
 詢(xún)價(jià)
NEC
23+
SOT-363
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
更多UPA811T供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 16:00:00

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