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UPA810T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA810T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA810T-T1-A

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

UPA810T-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA810T-T1

HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR

TheμPA810Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?HighGain |S21e|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?ASmallMiniMoldPackageA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA810T-T1

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    UPA810T-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益：

    9dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 7mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    SOT-363

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UPA810T-T1-A供應商 更新時間2024-12-27 14:27:00

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