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UPA801T-T1分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
UPA801T-T1 |
參數屬性 | UPA801T-T1 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 |
功能描述 | HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
封裝外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
217.64 Kbytes |
頁面數量 |
8 頁 |
生產廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-5-16 23:00:00 |
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UPA801T-T1規(guī)格書詳情
The μPA801T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.
FEATURES
? Low Noise NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
? High Gain |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
? A Mini Mold Package Adopted
? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4226)
產品屬性
- 產品編號:
UPA801T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
2 NPN(雙)
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
4.5GHz
- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
9dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 7mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商器件封裝:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
6250 |
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詢價 | ||
NEC/REN |
24+ |
SOT-363 |
80000 |
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詢價 | ||
NEC |
22+ |
SOT363 |
30000 |
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NEC |
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SOT23 |
49000 |
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NEC |
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SOT363 |
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NEC |
2223+ |
SOT-363 |
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NEC |
23+ |
SOT-6 |
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NEC |
04+ |
SOT23-6 |
2962 |
原裝現貨 |
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SOT-363 |
23+ |
NA |
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NEC |
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