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UPA801T-T1分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

UPA801T-T1
廠商型號

UPA801T-T1

參數屬性

UPA801T-T1 封裝/外殼為6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

封裝外殼

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

217.64 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-16 23:00:00

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UPA801T-T1規(guī)格書詳情

The μPA801T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

? Low Noise NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

? High Gain |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

? A Mini Mold Package Adopted

? Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4226)

產品屬性

  • 產品編號:

    UPA801T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    4.5GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應商器件封裝:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

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