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UPA2210T1M中文資料瑞薩數據手冊PDF規(guī)格書

UPA2210T1M
廠商型號

UPA2210T1M

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

356.85 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-4-10 17:05:00

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UPA2210T1M規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The μ PA2210T1M is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for power management applications of portable equipments, such as

load switch.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 29 mΩ MAX. (VGS = ?4.5 V, ID = ?7.2 A)

RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?3.6 A)

RDS(on)3 = 81 mΩ MAX. (VGS = ?1.8 V, ID = ?3.6 A)

? Built-in gate protection diode

? ?1.8 V Gate drive available

產品屬性

  • 型號:

    UPA2210T1M

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V VSOF-SLIM

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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