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UNC-181N	文件：2.72288 Mbytes Page：6 Pages	Spark Gap Protectors (SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：325.51 Kbytes Page：5 Pages	Spark Gap Protectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UNC-181N	文件：338.76 Kbytes Page：5 Pages	Spark Gap Protectors (SPG)	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
UPG181GR	文件：220.34 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?TwoIndependentIFChannels ?IntegralSwitchingtoChannelInputtoEitherChannelOutput ?InsertionLossPerChannel:5.0dBTYP.(ZO=50W) ?FrequencyRange:950MHzto2150MHz ?ChanneltoChannelIsolation:33dBTYP. ?Small16-pinHTSSOPPackage	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPG181GR	文件：148.89 Kbytes Page：4 Pages	GaAsMMICDBSTWINIFSWITCH DESCRIPTION NECsUPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired.Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG181GR	文件：56.55 Kbytes Page：12 Pages	GaAsMMICDBSTwinIFSwitch DESCRIPTION TheμPG181GRisintendedforuseinDirectBroadcastSatellite(DBS)applicationswithintheLowNoiseBlock(LNB)down-converterforsystemswhereatleasttwoLNBoutputsarerequired. Itofferstwointermediatefrequencyamplifierchannelsthatcanindependentlyselect1of2IFi	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
VDD181LCNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDD181LCTA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181LNNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181LNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDD181LNTA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181MCNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181MCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDD181MCTA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181MNNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181MNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
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VDD181SCNA	文件：1.93538 Mbytes Page：22 Pages	CMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
VDD181SCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM

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更多UNC-181N供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 16:50:00

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