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UN200N26TE中文資料優(yōu)恩半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
UN200N26TE |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT-26 |
| 文件大小 |
4.90176 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | UN Semiconducctor INC |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
UNSEMI【優(yōu)恩半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-28 14:54:00 |
UN200N26TE規(guī)格書(shū)詳情
Features
Advanced Trench Cell Design
Low Thermal Resistance
Low Gate Charge
Applications
Motor/Body Load Control
Load Switch
DC-DC converters
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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16800 |
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