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UFT20120

Ultrafast Recovery Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UFT20120

ULTRA FAST RECOVERY MODULES

MicrosemiMicrosemi Corporation

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UFT20120

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE MODULE 200V 100A

MicrosemiMicrosemi Corporation

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UFT20120A

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE MODULE 200V 100A

MicrosemiMicrosemi Corporation

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UFT20120D

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE MODULE 200V 100A

MicrosemiMicrosemi Corporation

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V20120C

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120S

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120SG

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120SG

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120SG

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120SG

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VB20120C

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UFT20120

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    100A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    螺釘安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    DIODE MODULE 200V 100A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MSC
23+
模塊
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全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價格優(yōu)勢!
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全新進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨熱賣中
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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2023+
模塊
600
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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更多UFT20120供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 16:30:00