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UES1302

HighEfficiency,3.5A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

UES1302

HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS3.5AMP

DIGITRON

Digitron Semiconductors

UES1302

RECTIFIERS

DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

VBA1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBA1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?GenII ?UltraLowOn-ResistanceUsingHigh DensityTrenchFETPowerMOSFET Technology APPLICATIONS ?SynchronousBuckLow-Side -Notebook -Server -Workstation ?SynchronousRectifier-POL

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBE1302A

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBM1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

VBM1302

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC ?DT-TrenchPowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

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