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TZ1101A

Crystal Unit SMD 5.0x3.2 20.00MHz

Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

UES1101

HighEfficiency,2.5A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

UES1101

2.5AHIGH-EFFICIENCYRECTIFIERS

DIGITRON

Digitron Semiconductors

UES1101

RECTIFIERS

DESCRIPTION Anaxialleadedpowerrectifierusefulinmanyswitchingapplications.Particularlysuitedwhereveryfastrecoveryandlowforwardvoltagearerequired. FEATURES ?VeryFastRecoveryTimes ?VeryLowForwardVoltage ?SmallSize ?ConvenientPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UESI1101

HighEfficiency,2.5A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

UL1101N

PARAMETRYDOPUSZCZALNE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

UM1101

25to30WattDC-DCConverters

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

USB1101

USB2.0FSPeripheralTransceiver

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

USR1101

5V/12VSYNCHRONOUSBUCKPWMDC-DCCONTROLLER

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

VAB1101SF

VariableAttenuatorPatentproduct

YANTELYantel Corporation

研通高頻深圳市研通高頻技術有限公司

VB1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?Materialcategorization: APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitch ?LEDBacklightinginLCDTVs

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VB1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?HighFrequencyBoostConverter ?LEDBacklightforLCDTV

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBA1101N

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?Materialcategorization: APPLICATIONS ?DC/DCPrimarySideSwitch ?Telecom/Server ?MotorDriveControl ?SynchronousRectification

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?150°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1101MC

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBE1101N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBFB1101M

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TZ1101A供應商 更新時間2024-12-23 9:18:00

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