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TW030N120CS1F中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TW030N120CS1F
廠商型號

TW030N120CS1F

功能描述

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

文件大小

525.54 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-25 18:24:00

TW030N120CS1F規(guī)格書詳情

Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 1200 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 30 m

? (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I

D = 13 mA)

(6) Enhancement mode.

Applications

? Switching Voltage Regulators

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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