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TTC5810中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TTC5810
廠商型號(hào)

TTC5810

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type

絲印標(biāo)識(shí)

3B

封裝外殼

PW-Mini

文件大小

470.46 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 20:00:00

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TTC5810規(guī)格書詳情

Applications

? High-Speed Switching

? DC-DC Converters

Features

(1) High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (VCE = 2 V, IC = 0.1 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.12 V (max) (IC = 0.3 A, IB = 6 mA)

(3) High-speed switching: tf = 180 ns (typ.) (IC = 0.3 A)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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