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TTC009分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TTC009
廠商型號(hào)

TTC009

參數(shù)屬性

TTC009 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

178.32 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:28:00

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TTC009規(guī)格書詳情

○ Power Amplifier Applications

○ Power Switching Applications

? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)( IC = 1A)

? High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ.)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TTC009,F(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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