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TSM6N50CPRO	文件：387.57 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
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6N50	文件：172.07 Kbytes Page：6 Pages	6A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N50	文件：172.01 Kbytes Page：6 Pages	6Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
6N50	文件：49.69 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOD6N50	文件：309.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOD6N50	文件：495.16 Kbytes Page：6 Pages	500V,5.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
FDD6N50	文件：463.96 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMMOSFET500V,6A,900m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50	文件：845.65 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50F	文件：331.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDD6N50F	文件：354.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,5.5A,1.15廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFailchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50FTF	文件：354.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,5.5A,1.15廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFailchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50FTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50FTM	文件：354.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,5.5A,1.15廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFailchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50TF	文件：845.65 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD6N50TM	文件：331.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDD6N50TM	文件：845.65 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FDU6N50	文件：463.96 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMMOSFET500V,6A,900m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數

型號：
TSM6N50CPRO
制造商：
TSC
制造商全稱：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
500V N-Channel Power MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市仟禧電子有限公司	TSM6N50CPRO	TSC/臺灣半導體	22+	SOT-252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	TSM6N50CPRO	T	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	TSM6N50CPRO	T	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市金芯世紀電子有限公司	TSM6N50CPRO	TSC/臺灣半導體	22+	SOT-252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	TSM6N50CPRO	T	22+	TO-252	25000	只做原裝進口現貨,專注配單	詢價
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更多TSM6N50CPRO供應商更新時間2024-12-25 16:38:00

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