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TSM2N60CPRO中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

TSM2N60CPRO
廠商型號(hào)

TSM2N60CPRO

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.32278 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

TSM2N60CPRO規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體
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