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TSB1184CP	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
TSB1184CPQ	文件：45.79 Kbytes Page：3 Pages	LowVce(sat)PNPTransistor Features ●LowVCE(SAT)-0.3V@IC/IB=-2A/-100mA(Typ.) ●ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Structure ●EpitaxialPlanarType ●PNPSiliconTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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