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TS3DDR4000ZBAR 集成電路(IC)模擬開(kāi)關(guān) - 特殊用途 TI/德州儀器
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
TS3DDR4000ZBAR
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
- 包裝:
管件
- 應(yīng)用:
存儲(chǔ)器
- 多路復(fù)用器/解復(fù)用器電路:
2:1
- 導(dǎo)通電阻(最大值):
11.2 歐姆
- 電壓 -?電源,單 (V+):
2.375V ~ 3.6V
- -3db 帶寬:
5.6GHz
- 特性:
DDR2,DDR3,DDR4
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-NFBGA(8x3)
- 描述:
IC DDR SWITCH/MUX 48NFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華睿芯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張經(jīng)理
- 手機(jī):
18675544552
- 詢價(jià):
- 電話:
18675544552
- 地址:
深圳市福田中航路都會(huì)100大廈B座10Q
相近型號(hào)
- TS3DS26227YZ
- TS3DDR32611EVM
- TS3DS26227YZPR
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