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V30100C	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100C	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100C	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.455VatIF=5A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100CI	文件：136.73 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100CI	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100P	文件：96 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.57VatIF=8A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip260°C,40s ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPIC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100PW	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.58VatIF=8A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100S	文件：141.87 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100S	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.39VatIF=5A UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100S	文件：149.88 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100S	文件：149.88 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30100SG	文件：168.82 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.437VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30100SG	文件：143.19 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICAL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多TS30100CG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 14:05:00

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