零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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TPR175 | NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASITPR175isacommonbasetransistorDesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz. FEATURES: ?CommonBase ?InternalMatchingNetwork ?PG=8.0dBat175W/1090MHz ?Omnigold?MetalizationSystem | ASI Advanced Semiconductor | ASI | |
TPR175 | high power COMMON BASE bipolar transistor. GENERALDESCRIPTION TheTPR175isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputprematchforbroadbandcapability.Lowthermal | GHZTECH GHz Technology | GHZTECH | |
TPR175 | 175 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030-1090 MHz GENERALDESCRIPTION TheTPR175isahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1030-1090MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputprematchforbroadbandcapability.Lowthermal | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
TPR175 | Package:55CX;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
TopstekCurrentTransducers | TOPSTEK Topstek Inc. | TOPSTEK | ||
Industrialstandardpackage | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
TopstekCurrentTransducers | TOPSTEK Topstek Inc. | TOPSTEK | ||
PINGRIDARRAYCAVITYDOWN(TYPEA)175PIN | NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司 | NSC | ||
ACIMPELLERS | MECHATRONICS Mechatronics, Inc. | MECHATRONICS | ||
L-BandPADRIVERAMPLIFIER DESCRIPTION μPG175TAisaGaAsMMICforPAdriveramplifierwithvariablegainfunctionwhichwasdevelopedforPDC(PersonalDigitalCellularinJapan)andanotherL-bandapplication.Thedevicecanoperatewith3.0V,havingthehighgainandlowdistortion. FEATURES ?LowOperationVoltage: | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
TPR175
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
55V
- 頻率 - 躍遷:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
8dB ~ 9dB
- 功率 - 最大值:
290W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 20mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
9A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
55CX
- 供應(yīng)商器件封裝:
55CX
- 描述:
RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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