TPR1000中文資料GHZTECH數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
TPR1000 |
| 參數(shù)屬性 | TPR1000 封裝/外殼為55KV；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV |
| 功能描述 | high power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 文件大小 |
71.87 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-1 19:06:00 |
TPR1000規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The TPR 1000 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1090 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input returns for fast rise time. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TPR1000
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
1.09GHz
- 增益：
6dB
- 功率 - 最大值：
2900W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55KV
- 供應(yīng)商器件封裝：
55KV
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC |
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) | |||
ROCPU Switches(臺(tái)普) |
21+ |
SMD |
35000 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方 |
詢價(jià) | ||
3PEAK |
23+/24+ |
8-UFQFN |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ASI |
新批次 |
原廠 |
50 |
真實(shí)有庫(kù)存！量大請(qǐng)咨詢！特價(jià)支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
3PEAK(思瑞浦) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存,渠道可追溯 |
詢價(jià) | ||
TOPPOWER(頂源) |
2021+ |
Through Hole |
499 |
詢價(jià) | |||
TI |
21+ |
35210 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
3PEAK |
23+ |
NA |
200 |
串聯(lián)電壓基準(zhǔn) |
詢價(jià) | ||
2322+ |
NA |
33220 |
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詢價(jià) |
