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TPHR9003NC中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPHR9003NC
廠商型號

TPHR9003NC

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標(biāo)識

TPHR9003NC

封裝外殼

SOP

文件大小

255.72 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 23:00:00

TPHR9003NC規(guī)格書詳情

Applications

? ORing Circuits

? Power Management Switches

Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.1 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)

(2) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

(3) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
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12215
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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TOSHIBA/東芝
19+
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80000
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