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TPH7R506NH

Marking:TPH7R506NH;Package:SOP;MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers ?DC-DCConverters Features (1)Smallfootprintduetoasmallandthinpackage (2)High-speedswitching (3)Smallgatecharge:QSW=14nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.1mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Low

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPN7R506NH

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications ?DC-DCConverters ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=9.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) (

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    TPH7R506NH

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60V FET 22A 45W 1785pF 31nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TPH7R506NH供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 15:35:00