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TPH1110ENH中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TPH1110ENH
廠商型號

TPH1110ENH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

絲印標識

TPH1110ENH

封裝外殼

SOP

文件大小

229.84 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 23:00:00

TPH1110ENH規(guī)格書詳情

Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 96 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 200 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
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