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TPC8129中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TPC8129
廠商型號(hào)

TPC8129

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

文件大小

265.76 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-16 12:00:00

TPC8129規(guī)格書詳情

Features

(1) Small footprint due to a small and thin package

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 17 m?(typ.) (VGS= -10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -30 V)

(4) Enhancement mode: Vth= -0.8 to -2.0 V (VDS= -10 V, ID= -0.2 mA)

Applications

? Lithium-Ion Secondary Batteries

? Power Management Switches

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TPC8129

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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