首頁 >TPB6>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

TPB62

TRISIL

DESCRIPTION TheTPBseriesareTRISILdevicesespeciallydesignedforprotectingsensitivetelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientvoltagesinducedbyACpowerlines.TheyareavailableintheCB429axialpackage. TRISILdevicesprovidebidirectionalprotectionbycrowbaract

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB68

TRISIL

DESCRIPTION TheTPBseriesareTRISILdevicesespeciallydesignedforprotectingsensitivetelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientvoltagesinducedbyACpowerlines.TheyareavailableintheCB429axialpackage. TRISILdevicesprovidebidirectionalprotectionbycrowbaract

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

TPB60R350C

Marking：60R350C；Package：TO-263；600V Super-Junction Power MOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB60R350C

Marking：60R350C；Package：TO-263；600V Super-Junction Power MOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB60R580C

Marking：60R580C；Package：TO-263；600V Super-Junction Power MOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TPB60R700C

Marking：60R700C；Package：TO-263；600V Super-Junction Power MOSFET

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TPB6

  • 功能描述：

    硅對稱二端開關元件 RO 511-SMP100LC-65 CB429 62V 100A TRIS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Bourns 轉折電流

  • VBO：

    40 V 最大轉折電流

  • IBO：

    800 mA

  • 不重復通態(tài)電流：

    額定重復關閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    25 V

  • 關閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    保持電流（Ih

  • 最大值）：

    50 mA

  • 開啟狀態(tài)電壓：

    5 V 關閉狀態(tài)電容

  • CO：

    120 pF

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DO-214AA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MDD
21+
DO-27S
12588
原裝正品,價格優(yōu)勢
 詢價
TI
1728+
DSBGA-16
6528
只做進口原裝正品假一賠十!
 詢價
THOMSON
23+
NA
2111
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
TI/德州儀器
22+
DSBGA-16
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
 詢價
TI/德州儀器
22+
DSBGA-16
50000
只做正品原裝,假一罰十,歡迎咨詢
 詢價
ST
22+
DIP
66900
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價
ST
原廠原封
36900
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
TI/德州儀器
22+
DSBGA-16
21000
原廠原包裝。假一罰十?？砷_13%增值稅發(fā)票。
 詢價
ST
22+
原廠原封
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術支持!
 詢價
ST
24+
DIP
200000
原裝進口正口,支持樣品
 詢價
更多TPB6供應商 更新時間2025-2-3 15:48:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多