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TN1205T-600

High current density per square mm

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TN1205T-600B

High current density per square mm

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TN1205T-600B

12 A SCR

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TN1205T-600B-TR

High current density per square mm

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TN1205T-600B-TR

12 A SCR

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TN1205T-600B

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶閘管 - SCR 描述：SCR 600V 12A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

TN1205T-600B-TR

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：盒 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶閘管 - SCR 描述：SCR 600V 12A DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    TN1205T-600

  • 功能描述：

    SCR 12A SCR 2 to 5mA IGT-Calibrated

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流

  • IBO：

    480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓

  • VDRM：

    600 V

  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：

    5 uA

  • 開啟狀態(tài)：

    RMS

  • 正向電壓下降：

    1.6 V

  • 柵觸發(fā)電壓(Vgt)：

    1.3 V

  • 最大柵極峰值反向電壓：

    5 V

  • 柵觸發(fā)電流(Igt)：

    35 mA 保持電流（Ih

  • 最大值）：

    75 mA

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法
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TO-252
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更多TN1205T-600供應(yīng)商 更新時間2025-5-18 8:00:00

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