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UM2102

PINDIODE

DESCRIPTION UM2100SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationsinHFband(2-30MHz)andbelow.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(25μstypical)diodescancontrolupto2.5kW,CWina50ohmsystem.InHFband,insertionlossisless

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UM2102

ATTENUATORANDPOWERPINDIODES2??30MHz

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

UM2102B

ProductChangeNotification

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

UPD2102AL

simplememoryexpansion-chipenableinput

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

VBA2102M

P-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100Rg andUISTested APPLICATIONS ?ActiveClampinIntermediateDC/ DCPowerSupplies ?H-BridgeHighSideSwitchfor LightingApplication

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBA2102M

P-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBE2102M

P-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBE2102M

P-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBE2102N

P-Channel100-V(D-S)175°CMOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBFB2102M

P-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

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更多TMR2102供應(yīng)商 更新時間2023-3-4 12:30:00