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4N90	文件：65.65 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
4N90C	文件：197.15 Kbytes Page：5 Pages	4.0A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
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AOTF4N90	文件：43.7 Kbytes Page：6 Pages	HVMOSFamilyReport	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
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FQB4N90TM	文件：2.19384 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FQP4N90	文件：302.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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FQP4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FQPF4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF4N90C	文件：307.99 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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