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TMBT3906	文件：208.04 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications Highvoltageandhighcurrent :VCEO=?50V,IC=?200mA(max) ComplementarytoTMBT3904	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPMMDT3906	文件：7.96046 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPPZT3906	文件：2.12946 Mbytes Page：6 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
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UMT3906	文件：104.26 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO>?40V(IC=?1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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更多TLP3906(TPR,E(O供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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