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TK9A90E

Marking:K9A90E;Package:TO-220SIS;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.0Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=720V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.9mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK9A90E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多TK9A90E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 17:10:00