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ITK58E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK58E06N1

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TK58E06N1

SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK58E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    TK58E06N1,S1X

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多TK58E06N1,S1X供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 8:23:00