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TK55S10N1

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications ?Automotive ?SwitchingVoltageRegulators ?MotorDrivers 2.Features (1)AEC-Q101qualified (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=5.5mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多TK55S10N1LXHQ(O供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 10:02:00

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