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K50P04M1

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

TK50P04M1

High-EfficiencyDC-DCConverterApplicationsSwitchingRegulator

Features (1)High-speedswitching (2)Lowgatecharge:QSW=9.4nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.7m?(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=40V) (5)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10V,ID=0.5mA) Applications ?Swi

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK50P04M1

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

TK50P04M1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

TK50P04M1

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TK50P04M1

P-Channel40V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TK50P04M1(T6RSS-Q)

  • 功能描述：

    MOSFET N-ch 40V 50A DP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
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DP
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TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
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更多TK50P04M1(T6RSS-Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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