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SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147 | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Silicon NPN Darlington Power Transistor Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Darlington Complementary Silicon Power Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Designed for Complementary Use with TIP145, TIP146 and TIP147 | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDX65A,BDV65A,BDV67,BDW83B,MJ3001,FH9C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-71
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TIP141
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
- 描述：
TRANS NPN 80V 10A TO218
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155581 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
15+ |
TO-247 |
11560 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
TI |
05+ |
原廠原裝 |
4703 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
MOT |
04+ |
TO-3P |
2890 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MOT |
17+ |
TO-3P |
9988 |
全新，原裝現(xiàn)貨 于小姐17621580780 同微QQ2107571078 |
詢價(jià) | ||
TI |
新 |
90 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) |
