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THN6501E	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPN SiGe RF TRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501E	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGe NPN Transistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501F	文件：189.85 Kbytes Page：11 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighGain MAG=11.5dBatf=1GHz,VCE=10V,IC=20mA oHighTransitionFrequency fT=7GHzatf=1GHz,VCE=10V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501S	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501S	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501U	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501U	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
THN6501Z	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICS Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK corp	AUK
TM6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TM6501	文件：70.4 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TMR6501	文件：412.73 Kbytes Page：5 Pages	SingleChannelTMRMagneticPatternRecognitionSensor FeaturesandBenefits ?Highsensitivityandexcellentgapperformances ?Outputvoltageisindependentofscanningspeed ?Differentialoutput,highCMRRperformance ?Singlechanneldetection,5mmdetectionwidth ?Compactsize:L10.5mmxW8mmxH9.6mm ?Simplestructureforlowcostso	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多維科技江蘇多維科技有限公司	MULTIDIMENSION
TN6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TPC6501	文件：148.62 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：175.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TSHA6501	文件：114.26 Kbytes Page：6 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs Description TheTSHA650.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Incontras	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
UM6501	文件：402.88 Kbytes Page：12 Pages	Multi-lineESD/EMIProtectionsforSignalLines	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司	UNIONSEMI
USB-6501	文件：301.89 Kbytes Page：5 Pages	Small,portabledigitalI/Odevice/24digitalI/Olines,one32-bitcounter	NI National Instruments Inc.	NI
VV6501	文件：351.42 Kbytes Page：44 Pages	DUAL-MODEDIGITALCAMERACO-PROCESSOR DESCRIPTION STMicroelectronicsImagingDivisionhasproducedthecameraco-processorSTV0681which,usedwithCIF/VGAsensorsaspartofalowcostdual-modecamerachipset,allowsanewlineoflowcostcamerasortoyproductstobebroughttothemarket.STV0681isamaskROMversionofSTV0680	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
THN6501E
制造商：
AUK
制造商全稱：
AUK corp
功能描述：
SiGe NPN Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市振宏微科技有限公司	THN6501E	SOD-523	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	THN6501E	TACHYONICS	22+	SOD523	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
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