首頁>TH58BYG3S0HBAI6>詳情

TH58BYG3S0HBAI6 集成電路（IC）存儲器 Kioxia America, Inc.

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    TH58BYG3S0HBAI6

  • 產(chǎn)品分類：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 生產(chǎn)廠商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    11200

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    21+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-12 10:04:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：TH58BYG3S0HBAI6品牌：Kioxia America, Inc.

正品專賣,進口原裝深圳現(xiàn)貨

TH58BYG3S0HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝NA/67-VFBGA的TH58BYG3S0HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    TH58BYG3S0HBAI6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58BYG3S0HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT 67VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博正芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張小姐/夏小姐

  • 手機：

    15914127184

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82545278/0755-82981891

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)世貿(mào)廣場C座1106

相近型號