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TH58BYG2S3HBAI6

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TH58BYG2S3HBAI6

包裝:散裝 封裝/外殼:67-VFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TH58BYG2S3HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Benand?

  • 包裝:

    散裝

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TH58BYG2S3HBAI6供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 8:00:00