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TF8N10中文資料拓鋒半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TF8N10
廠商型號(hào)

TF8N10

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

8N10XXXXXX

封裝外殼

SOT-89

文件大小

3.3122 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TUOFENG拓鋒半導(dǎo)體

中文名稱

深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-22 22:30:00

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TF8N10規(guī)格書詳情

Description

The 8N10 SOT-89 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDSS RDS(ON) @10V (typ) ID

100V 123mΩ 8A

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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