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TF20N06	文件：3.83297 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司	TUOFENG
20N06	文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
20N06	文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
20N06	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
20N06	文件：1.2281 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
20N06	文件：1.3482 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
20N06B	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
20N06F	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
20N06H	文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages	20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實業(yè)重慶平偉實業(yè)股份有限公司	CHONGQING
20N06HD	文件：897.27 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
20N06HLD	文件：897.23 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
20N06L	文件：896.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
ADM20N06D	文件：549.62 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 愛德微愛德微(深圳)電子有限公司	ADV
CEB20N06	文件：86.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=40m?@VGS=10V. RDS(ON)=50m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB20N06	文件：417.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CED20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP20N06	文件：86.42 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,28A,RDS(ON)=40m?@VGS=10V. RDS(ON)=50m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：124.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,20A,RDS(ON)=55m?@VGS=10V. RDS(ON)=75m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU20N06	文件：84.8 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多TF20N06供應商更新時間2024-12-25 16:50:00

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