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TES-4822WI	文件：779.14 Kbytes Page：4 Pages	TES 3WI Series, 3 Watt ?Ultra-wide4:1inputvoltagerange ?I/Oisolation1500VDC ?Operatingtemp.range–40°Cto+70°C ?Shortcircuitprotection ?InputfiltertomeetEN55032, conductedclassA ?RemoteOn/Off ?Highaccuracyofpinco-planarity ?Qualifiedforleadfreereflowsolder processaccordingI	TRACOPOWER TRACO Electronic AG	TRACOPOWER
4822	文件：235.62 Kbytes Page：1 Pages	NYLONHEXSTANDOFF [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AO4822	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4822	文件：2.57955 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO4822	文件：304.99 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4822	文件：1.04825 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET??PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AO4822	文件：3.36305 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES RDS(ON)≤35m@VGS=10V RDS(ON)≤45m2@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4822A	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4822A	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4822A	文件：2.3476 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO4822A	文件：1.04822 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?NotebookSystemPower ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AO4822A-HF	文件：2.62496 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO4822AL	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
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BU4822	文件：289.97 Kbytes Page：6 Pages	LowVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
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更多TES-4822WI供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 11:10:00

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