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VN1110ND

N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs???

SUTEX

Supertex, Inc

VP1110ND

P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs?

SUTEX

Supertex, Inc

WM1110

2.36mm(.093)Diameter,Standard.093PinandSocketPCTailTerminal,Series1376,Male,withTin/Lead(Sn/Pb)PlatedContact,WithDetent,BagPackaged

MOLEX1Molex Electronics Ltd.

莫仕

WM1110-ND

2.36mm(.093)Diameter,Standard.093PinandSocketPCTailTerminal,Series1376,Male,withTin/Lead(Sn/Pb)PlatedContact,WithDetent,BagPackaged

MOLEX1Molex Electronics Ltd.

莫仕

XAPA1110

HarmonyXAP,XB2SL,Emptycontrolstation,plastic,grey,1cutout,?22

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德電氣

XN1110

SiliconPNPepitaxialplanertransistor

Forswitching/digitalcircuits ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistorswithbuilt-inresistor) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. ■BasicPartNumberofElement ●UN1110×2elements

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

XP1110

SiliconPNPepitaxialplanertransistor

SiliconPNPepitaxialplanertransistor Forswitching/digitalcircuits ■Features ●Twoelementsincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistorswithbuilt-inresistor) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf.

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

Z1110

SILICONZENERDIODES

VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: *Completevoltagerange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

Z1110

SILICONZENERDIODES

VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: *Completevoltagerange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

Z1110

ZENERDIODES

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    TCDT1110G

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 100%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多TCDT1110G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 14:02:00

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